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ZXMN6A09G
60V SOT223 N-channel enhancement mode MOSFET
Summary
V (BR)DSS
60
R DS(on) ( )
0.040 @ V GS = 10V
0.060 @ V GS = 4.5V
I D (A)
7.5
6.2
Description
This new generation of trench MOSFETs from Zetex utilizes a unique
structure that combines the benefits of low on-resistance with fast
switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage
power management applications.
Features
D
?
?
Low on-resistance
Fast switching speed
?
?
?
Low threshold
Low gate drive
SOT223 package
G
S
Applications
?
DC-DC converters
?
Power management functions
S
?
?
Disconnect switches
Motor control
D
D
G
Ordering information
Pinout - top view
Device
ZXMN6A09GTA
Reel size
(inches)
7
Tape width
(mm)
12
Quantity
per reel
1000
Device marking
ZXMN
6A09
Issue 3 - June 2007
? Zetex Semiconductors plc 2007
1
www.zetex.com
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